小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、3~110kV电容式电流互感器等。对这些试品采用QS1型电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的，如表1其原因分析如下。
表1 LCWD-110电流互感器采用不同测量接线的测量结果
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正接线
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反接线
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一次对二次
（外壳接地）
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一次对二次
（绝缘）
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一次对二次及外壳
（接地）
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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Cx
(pF)
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tgδ
(%)
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50
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3.3
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56.6
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3.5
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81
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2.2
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按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次和顶部周围接地部分的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。由表2-45可见，一次对二次的电容量为50pF，而一次对二次及外壳（垫绝缘）的电容量为56.6pF，一次对外壳的电容量约为6.6pF，约为一次对二次及外壳总电容的1/9，这主要是油及瓷质绝缘的电容。由于电容很小，所以在与一次对二次电容成并联等值电路测量时，一次对外壳的影响很小。因此为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的绝缘介质损耗因数值。此时一次和顶部对周围接地部分的电容为81-56.6=24.4（pF），为反接线测量时总试品电容的30%。而这部分的介质损失主要是空气、绝缘油、瓷套等，在干燥及表面清洁的条件下，这部分的介质损耗因数一般小于10%。由于试品本身电容小，而一次和顶部对周围接地部分的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
由于正接线具有良好的康电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。
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