测量变压器绕组的介质损耗因数tgδ主要是反映变压器绝缘中的纸绝缘的tgδ，而绝缘电阻则时纸和油两种绝缘的串联值，故用tgδ来反映变压器整体绝缘状况比绝缘电阻有效。它是反映变压器绝缘受潮的主要特征。

一、 测量方法

（1）根据单位具体条件可选用西林电桥或M型试验器，用西林电桥测试时多采用反接线方式。将被测绕组短接后接电桥的“CX”,对非被测绕组短接后接地。用M型试验器时将被测绕组短接后，接试验器电缆的总线，非被测绕组短接后，接地或接电缆头的屏蔽环。这两种方法的试验次数和部位有所不同，详见表4-41及表4-42.

表4-41 西林测tgδ次数及部位

试验序号	双绕组变压器			三绕组变压器
	加压	接地	部位	加压	接地	部位
1	高压	低压+铁芯	C1+C13	高压	中、低压+铁芯	C1+C12+C13
2	低压	高压+铁芯	C3+ C13	中压	高低压+铁芯	C2+C12+C23
3	高压+低压	铁芯	C1+ C3	低压	高中压+铁芯	C3+C13+C23
4				高压+低压	中压	C1+C12+C23+C3
5				高压+中压	低压	C1+C2+C23+C13
6				低压+中压	高压	C2+C3+C13+C12
7				高压+低压+中压	铁芯	C1+C2+C3

表中C₁指高压对地电容，C₂指中压对地电容，C₃指低压对地电容，C₁₂指高压对中压电容，C₁₃指高压对低压电容，C₂₃指中压对低压电容。

表4-42 M型试验器测tgδ次数和部位

试验序号	双绕组变压器				三绕组变压器
	加压	接地	屏蔽	部位	加压	接地	屏蔽	部位
1	高压	低压		C1+C13	高压	低压	中压	C1+C13
2	高压		低压	C1	高压	—	中、低压	C1
3	低压	高压		C1+C13	中压	高压	低压	C2+C12
4	低压		高压	C3	中压	—	高、低压	C2
5					低压	中压	高压	C3+ C23
6					低压	—	高、中压	C3
7					高、中、低压	—	—	C1+C2+C3

（2）西林电桥的读数tgδ和电容C，而M型试验器的读数为“mVA”和“mW”数，tgδ即为mW/mVA；C=mVA/V²ω=0.51mVA(PF)

（3）测量tgδ用西林电桥和M型试验器时，都要注意周围的电场和磁场的干扰，可用倒相法或移相法进行消除。我国已有新型的介质损耗测试仪生产，如HT系列抗干扰介质损耗测试仪，P5026M型直流电桥等，引入了抗干扰系统，提高了测试准确度。

（4）不同温度下的测得值应换算到同一温度，进行比较。